고신뢰성 650V 질화갈륨(Gallium Nitride, GaN) 반도체를 설계·제조하는 트랜스폼(Transphorm Inc.)이 25만개가 넘는 고전압 GaN FET를 출하했다고 발표했다. 고객들의 양산형 애플리케이션에 사용되는 본 FET는 업계최초 JEDEC와 AEC-Q101 인증을 받았으며, 일본 아이즈 소재 웨이퍼 파운드리 공장에서 생산된다. 트랜스폼은 또한 아이즈 공장의 연간 생산능력 변경이 용이해서 50mohm 부품 1500...